1200-Вт источник питания AC/DC c интегральным уровнем безопасности SIL2-SIL3 для установки во взрывоопасной зоне класса 2

Компания GM International S.r.l. представляет источник электропитания PSD1250A, выполненный в корпусе из анодированного алюминия.

Новинка от GMI обеспечивает на выходе 24 В/50 A, а при параллельном включении нескольких модулей равномерное распределение тока между ними снижает рассеиваемую мощность внутри корпуса, что повышает надежность системы.

Устройство предназначено для работы от сети переменного тока в диапазоне напряжения 100…264 В (изменение частоты сети от 48 до 62 Гц). Также предусмотрено две независимых схемы защиты от перенапряжения: один из контуров ограничивает напряжение на уровне 27 В, другой – на 29 В.

В случае короткого замыкания нагрузки система электропитания обеспечивает чрезвычайно высокий пиковый ток (около 800 A) в течение 0,5 мс. В результате гарантируется немедленный выход из строя защитного предохранителя или срабатывание автоматического выключателя. Благодаря очень небольшой длительности пикового тока дополнительное оборудование, подключенное к нагрузке, не пострадает и продолжит работу не прерываясь.

Для снижения рассеиваемой мощности, при параллельном соединении, вместо блокирующих диодов, включаемых по схеме «ИЛИ», применяются MOSFETтранзисторы с каналом n-типа (схема управления идеальным OR-диодом или активный идеальный диод). В данной схеме напряжение, приложенное между стоком и истоком, контролируется на выводах модуля питания, а специальный вывод модуля используется для управления транзисторами MOSFET. 

Фактически исток и сток транзистора MOSFET служат в качестве анода и катода идеального диода. В случае отказа источника питания, например, если выход полностью нагруженного источника внезапно будет закорочен на землю, обратный ток временно потечет через MOSFET, находящийся во включенном состоянии. Этот ток поступает из какой-либо нагрузочной емкости и от других источников питания. Активный идеальный диод быстро реагирует на данное обстоятельство, выключая MOSFET в течение около 0,5 мкс, таким образом, минимизируются помехи и генерирование на выходной шине.

Сопротивление MOSFET активного идеального диода около 1,2 мОм, что дает в результате 3,6 Вт рассеиваемой мощности на каждом из включенных параллельно модулей. В том случае, если параллельно работают 6 модулей с выходным током 50 A для обеспечения резервирования 150 + 150 A, полная рассеиваемая мощность будет около 22 Вт, что почти в 10 раз меньше по сравнению с решением на диодах Шоттки.

Основные свойства источника питания PSD1250A:

• Коэффициент мощности 0,99 при входном напряжении 230 В, полная нагрузка
• КПД > 90%
• Максимальная мощность рассеивания 60 Вт
• Пусковой ток: 30 A (пик.)
• Гальваническая развязка вход-выход: 2500 В (среднеквадратическое значение)
• Выходное напряжение 24 В (регулировка в диапазоне от 22,8 до 25,2 В)
• Пульсации ≤ 250 мВ (от пика до пика)
• Время нарастания выходного напряжения 500 мс (макс)
• Ток нагрузки 50 A
• Параллельное соединение для обеспечения резервирования с распределением тока между модулями ±5%
• Сигнализация о состоянии выходного напряжения, индикация через ЖК-экран и шину Modbus на PSO1250, выход сухой контакт (SPST) срабатывает в случае перенапряжения/перегрузки по току
• Диапазон рабочих температур от –40 до +70˚C
• Диапазон температур хранения от –45 до +80˚C
• Маркировка взрывозащиты II 3 G EEx nA IIC T4 –40˚C ≤ Ta ≤ 60˚C;
IECExEx nA IIC T4, –40˚C ≤ Ta ≤ 60˚C
• Установка во взрывоопасных зонах класса II, категория взрывоопасной смеси IIC T3
• Масса около 2,5 кг
• Монтаж в 19" каркас, высота 2U